4S32V80EG8・B4S32V80EG8
規格 | DDR4-3200/PC4-25600 260-pin SODIMM |
---|---|
バッファー | Unbuffered |
動作電圧 | 1.2V |
エラー訂正 | NON-ECC |
レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS:22-22-22-52 |
DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 8pcs |
RANK | 1 |
外形寸法 | 幅:69.60 mm x 高さ:30.00 mm |
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
規格 | DDR4-3200/PC4-25600 260-pin SODIMM |
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バッファー | Unbuffered |
動作電圧 | 1.2V |
エラー訂正 | NON-ECC |
レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS:22-22-22-52 |
DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 8pcs |
RANK | 1 |
外形寸法 | 幅:69.60 mm x 高さ:30.00 mm |