4S26V32SG8・B4S26V32SG8
規格 | DDR4-2666/PC4-21300 260-pin SODIMM |
---|---|
バッファー | Unbuffered |
動作電圧 | 1.2V |
エラー訂正 | NON-ECC |
レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS:19-19-19-43 |
DRAM構成 | 16Gbit (2048M x 8bit) x 16pcs |
RANK | 2 |
外形寸法 | 幅:69.60 mm x 高さ:30.00 mm |
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
規格 | DDR4-2666/PC4-21300 260-pin SODIMM |
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バッファー | Unbuffered |
動作電圧 | 1.2V |
エラー訂正 | NON-ECC |
レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS:19-19-19-43 |
DRAM構成 | 16Gbit (2048M x 8bit) x 16pcs |
RANK | 2 |
外形寸法 | 幅:69.60 mm x 高さ:30.00 mm |