4S21V80EG8・B4S21V80EG8
| 規格 | DDR4-2133/PC4-17000 260-pin SODIMM |
|---|---|
| バッファー | Unbuffered |
| 動作電圧 | 1.2V |
| エラー訂正 | NON-ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：15-15-15-36 |
| DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 8pcs |
| RANK | 1 |
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
| 規格 | DDR4-2133/PC4-17000 260-pin SODIMM |
|---|---|
| バッファー | Unbuffered |
| 動作電圧 | 1.2V |
| エラー訂正 | NON-ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：15-15-15-36 |
| DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 8pcs |
| RANK | 1 |
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