426R61EG82・B426R61EG82
| 規格 | DDR4-2666/PC4-21300 288-pin DIMM |
|---|---|
| バッファー | Registered |
| 動作電圧 | 1.2V |
| エラー訂正 | ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：19-19-19-43 |
| DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 18pcs |
| RANK | 2 |
| 外形寸法 | 幅：133.35 mm x 高さ：31.25 mm |
※製品の仕様は予告なく変更することがあります。
| 規格 | DDR4-2666/PC4-21300 288-pin DIMM |
|---|---|
| バッファー | Registered |
| 動作電圧 | 1.2V |
| エラー訂正 | ECC |
| レイテンシー | CL-tRCD-tRP-tRAS：19-19-19-43 |
| DRAM構成 | 8Gbit (1024M x 8bit) x 18pcs |
| RANK | 2 |
| 外形寸法 | 幅：133.35 mm x 高さ：31.25 mm |
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